Bits&Chips

Beryllium-dotering van galliumnitride misschien toch zo gek nog niet

15 december 2017  Leds en powerelektronica zouden zuiniger kunnen worden nu het gedrag van beryllium in galliumnitride-kristalroosters is opgehelderd. De dotering van halfgeleiders met een grote bandovergang, zoals galliumnitride (GaN) en zinkoxide, is een vak apart. Voor silicium en galliumarsenide staan de beste doteringen direct links en rechts in het periodiek systeem, terwijl bijvoorbeeld voor GaN sinds jaar en dag magnesium als standaard p-dotering wordt gebruikt - een element dat ver links van gallium en...

Abonneer direct op onze nieuwsbrief

abonneren

Applied optics

22 februari

Eindhoven

Applied optics

22 februari

Eindhoven