Asymmetrische of publieke-sleutelcryptografie kan een zware wissel trekken op de processor, zowel op het vlak van berekeningen als qua geheugenverkeer. Barco Silex legt uit hoe zijn...
Het waren pijnlijke jaren, maar het gaat weer de goede kant op met zijn bedrijf, vertelt CTO René Penning de Vries van NXP. Een gesprek...
Beveiliging is een onderwerp van extremen. Dat is precies wat het spannend maakt. Versleutelen is een kant van beveiliging die het meest tot de verbeelding spreekt. Ik herinner me het geheimschrift...
16 juni 2010
Heeft de planaire transistor zijn langste tijd gehad? Dat is een van de vragen die bezoekers van het 2010 Symposium on VLSI Technology deze week in Honolulu op de lippen brandde. IBM en Toshiba presenteerden er hun werk aan schakelaars met een derde dimensie, terwijl TSMC aankondigde vanaf het 14-nanometerknooppunt de hoogte in te gaan.
Hoe kleiner het kanaal in een transistor, hoe moeilijker het wordt stroomverliezen in de uit-stand te beperken. Bij lengtes korter dan twintig nanometer lekt er zo veel stroom dat van schakelen geen sprake meer is. Chipmakers onderzoeken of 3D-structuren soelaas bieden. Door de gate helemaal in isolerend materiaal te wikkelen en op meer plaatsen dan alleen erbovenop stuurelektrodes aan te brengen, hopen chipmakers de verliezen in te dammen.
Toshiba gebruikte een silicium nanodraad om een 3D-transistor te maken die zich wat afmetingen betreft, laat vergelijken met vlakke 16-nanometerschakelaars. De Japanners claimen dat hun onderzoeksobject met 1 milli-ampère ‘aan-stroom’ het hoogste niveau ooit gehaald met nanodraden bereikt. Zij kregen dat voor elkaar door te spelen met de depositieprocessen, de dikte van de gate terug te brengen tot 10 nanometer en een andere kristallografische oriëntatie te gebruiken.
IBM-onderzoekers fabriceerden van hun 3D-Fets al rudimentaire IC’s. Zij verbonden 25 invertoren in serie om een ringoscillator te maken – een gebruikelijke manier om de prestaties van een IC-technologie in kaart te brengen. De demonstratie toonde de effectiviteit van het concept aan, maar het meest trots waren de IBM’ers op het feit dat ze nauwelijks van standaard CMos-fabricagetechnieken waren afgeweken.
Dat werk als dat van IBM en Toshiba (en vele andere bedrijven) niet louter als vulling is bedoeld voor wetenschappelijke tijdschriften, bleek op Imecs jaarlijkse klantendag begin juni, het Imec Technology Forum. Bronnen daar fluisterden Fabtech in dat TSMC rond het midden van dit decennium overstapt op verticale transistoren. De foundry is daarmee een van de eerste bedrijven die de planaire structuur officieel vaarwel zegt. Uit het geruchtencircuit en de belangstelling die andere Imec-partners tonen, mag worden opgemaakt dat velen zullen volgen.
© Bits & Chips | Deze pagina op internet: http://www.bits-chips.nl/nieuws/bekijk/artikel/verticale-transistor-wint-aan-momentum.html
