Asymmetrische of publieke-sleutelcryptografie kan een zware wissel trekken op de processor, zowel op het vlak van berekeningen als qua geheugenverkeer. Barco Silex legt uit hoe zijn...
Het waren pijnlijke jaren, maar het gaat weer de goede kant op met zijn bedrijf, vertelt CTO René Penning de Vries van NXP. Een gesprek...
Beste lezers, dit is mijn laatste reguliere column. Ik heb de afgelopen jaren geschreven over intelligente pleisters en punaises, waar we nu het Holst Centre voor hebben. Ik heb geschreven over de...
14 mei 2010
Onderzoekers van het Mesa+-instituut hebben samen met buitenlandse collega’s opgehelderd hoe het kan dat twee niet-geleidende complexe metaaloxiden toch kunnen geleiden zolang je ze maar in nanolagen op elkaar stapelt. Op het grensvlak van bijvoorbeeld lanthaanaluminiumoxide en strontiumtitaanoxide vindt elektronische reconstructie plaats – een herschikking van lading. Op sommige plaatsen komen meer elektronen terecht en op andere juist gaten, die elk hun eigen geleidende pad creëren. Veel ruimte hoeft daar niet tussen te zitten: één eenheidscel van de kristalstructuur is al genoeg. Zo’n kleine afstand levert hele nieuwe halfgeleiderelektronica op, schrijven de wetenschappers in Physical Review Letters.
In een gestapelde atoomstructuur van lanthaanoxide (LaO), afgedekt met strontiumtitaanoxide (SrO), op een substraat van strontriumtitaanoxide, geeft de interne potentiaal in de LaO-laag aanleiding tot een herverdeling van lading. De resulterende elektronen aan het grensvlak laten gaten achter op slechts een nanometer afstand, waardoor twee geleidende paden ontstaan.
© Bits & Chips | Deze pagina op internet: http://www.bits-chips.nl/nieuws/bekijk/artikel/spookgeleiding-van-isolerende-metaaloxiden-opgehelderd.html
