U bent hier:
  1. Home
  2. Nieuws
  3. Bekijk


Analyse

GCC viert zilveren jubileum

25 jaar geleden bracht Richard Stallman zijn vrije en opensource C-compiler uit. Sindsdien is GCC uitgegroeid tot een kracht van betekenis in de computerindustrie, waarmee vriend en vijand rekening...

Podium

Puzzelen op vijftigduizend GPS-metingen

Met de Open GPS Tracker-app kunnen bezitters van een Android-telefoon hun route opnemen en op een kaart weergeven. Ondertussen hebben meer...

Redactioneel

Het gat van Verhagen

De eerste klap is een daalder waard, weet ook Hans Clevers. In zijn eerste interview sinds bekend was gemaakt dat hij DWDD-president Robbert Dijkgraaf opvolgt bij de KNAW zei de wereldberoemde...

Tidbits

ASMI verbetert hoge-k-gateproces voor 14 nm

6 december 2011

ASMI heeft een hoge-k-diëlektricumproces op veertien nanometer ontwikkeld dat een equivalent oxide thickness (EOT) haalt van minder dan 0,6 nanometer. Volgens het Almeerse bedrijf is dat een verbetering van veertig procent ten opzichte van de huidige geavanceerde nodes. Met zijn Pulsar-ALD-tool is ASMI erin geslaagd om op een 14-nm-R&D-lijn van een van zijn klanten een hafniumgebaseerd materiaal te kwalificeren dat een hogere k heeft dan de bestaande baseline. Hierbij heeft het de lekstroom onder de 1 A per vierkante centimeter weten te houden.

Nieke Roos

Terug naar overzicht



© Bits & Chips | Deze pagina op internet: http://www.bits-chips.nl/nieuws/bekijk/artikel/asmi-verbetert-hoge-k-gateproces-voor-14-nm.html