Imec vergroot ecosysteem rond GaN
15 juli 2010
Applied Materials, Micron Technology en Ultratech hebben zich aangesloten bij Imecs onderzoeksprogramma rond galliumnitride (GaN). Het R&D-project richt zich op de ontwikkeling van processen en apparatuur voor het aanbrengen van GaN op silicium. De technologie is interessant voor de productie van vastestofverlichting zoals leds en voor de volgende generatie vermogenselektronicacomponenten op 8 inch siliciumplakken.
Galliumnitride is een veelbelovend materiaal omdat het een hoger doorslagvoltage en een hogere stroomcapaciteit haalt dan silicium. Het heeft echter nog wel wat voeten in aarde om de productietechnologie voor GaN op hetzelfde niveau te krijgen als voor silicium. Op dit moment worden geavanceerde leds typisch vervaardigd op dure 4 inch saffiersubstraten. Imec wil met zijn researchpartners de stap maken naar 8 inch siliciumwafers op basis van Applieds GaN-op-Si-mainframe, dat compatibel is met de CMos-fabinfrastructuur.
Alexander Pil
Terug naar overzicht